Фото диод

Please confirm that you and not a robot are sending requests

Принцип работы основан на фотовольтаическом эффекте, то есть разделение на границе электронно-дырочного перехода созданных оптическим излучением неосновных неравновесных носителей заряда. Если по-простому, то происходит разделение электронов и дырок в p и n области, за счет чего образуется ЭДС. При попадании кванта света в полосе собственного поглощения в полупроводнике возникает пара неравновесных носителей — электрон и дырка.

Что такое фотодиоды – где используются и как работают

Фотодиоды — приёмники оптического излучения, преобразующие попавший на их чувствительную область световой поток в электрические сигналы посредством происходящих на p-n-переходе процессов. В фотодиодах электроны и дырки в n- и p-областях разделяются, из-за чего образуются электрические заряды и ЭДС. Такие устройства называют солнечными элементами. Существуют фотодиоды с p-i-n переходом — между слоями n и p располагается нелегированный полупроводник i. Такие фотодиоды проводят только преобразование света в ток, в то время как лавинные фотодиоды и фототранзисторы усиливают ток на выходе. Способы доставки.

ФД256, Фотодиод
Primary Menu
Принцип работы фотодиода. Азы электроники

Существительное , неодушевлённое, мужской род, 2-е склонение тип склонения 1a по классификации А. Содержание переместить в боковую панель скрыть. Статья Обсуждение. Читать Править История. Инструменты Инструменты.

ФД, Фотодиод, Россия | купить в розницу и оптом
Что такое диод - простым языком
Фотодиоды | купить в розницу и оптом
Фотодиоды: принцип работы, применение и перспективы
Фотодиод УФД - Технические характеристики
Диод | Страница 4 из 5 | kinza-moscow.ru | Библиотека
фотодиод — Викисловарь
Принцип работы фотодиода. Азы электроники

Фото диод , работа которого основана на фотовольтаическом эффекте разделение электронов и дырок в p- и n-области, за счёт чего образуется заряд и ЭДС , называется солнечным элементом. Кроме p-n фотодиодов, существуют и p-i-n фотодиоды, в которых между слоями p и n находится слой нелегированного полупроводника i. При воздействии квантов излучения в базе происходит генерация свободных носителей, которые устремляются к границе p-n-перехода. Ширина базы n-область делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в p-область. Ток фотодиода определяется током неосновных носителей — дрейфовым током.

Похожие статьи